Micron Lança RDIMMs DDR5 de 128 GB

Micron Lança RDIMMs DDR5 de 128 GB. O avanço tecnológico no campo de memória para servidores tem sido marcado pelo desenvolvimento contínuo de RDIMMs (Registered Dual In-Line Memory Modules) de alta capacidade.

O método predominante para atingir essas capacidades elevadas tem sido a adoção de empilhamento 3D (3DS) de matrizes DRAM, utilizando Through-Silicon Vias (TSVs). Contudo, esse processo apresentou desafios consideráveis em termos de embalagem, resultando em custos mais elevados, além de não ser eficiente em relação ao consumo de energia.

A crescente demanda por RDIMMs de grande capacidade tem sido impulsionada por dois fatores principais: o surgimento repentino de modelos de linguagem grande (LLMs) para Inteligência Artificial (IA) generativa e o aumento da contagem de núcleos de CPU. Ambos esses cenários demandam uma quantidade substancial de DRAM para atender aos requisitos de desempenho necessários.

Nesse contexto, a empresa Micron está lançando RDIMMs DDR5 de 128 GB capazes de operar a até 8.000 MT/s (mega transferências por segundo), com planos de produção em massa previstos para 2024.

A Micron adotou uma abordagem inovadora ao fabricar matrizes DDR5 monolíticas de 32 Gb usando sua tecnologia 1β comprovada e madura. Essas novas matrizes apresentam um aumento de mais de 45% na densidade de bits, alcançando, simultaneamente, velocidades de até 8.000 MT/s e latências de temporização mais agressivas em comparação com as especificações JEDEC padrão.

A empresa destaca que essa abordagem não apenas proporciona eficiência energética aprimorada, com uma melhoria de até 24% em relação às ofertas 3DS TSV da concorrência, mas também pode contribuir para tempos de treinamento de IA mais rápidos devido à operação mais rápida.

Evitar o uso de 3DS TSV permitiu à Micron otimizar de maneira mais eficaz os buffers de entrada de dados e os circuitos críticos de Entrada/Saída (E/S), enquanto reduz a capacitância dos pinos nas linhas de dados, resultando em menor consumo de energia e desempenho aprimorado.

A Micron demonstra sua liderança no setor ao dobrar a densidade de matriz monolítica a cada 3 anos ou mais, impulsionada por avanços no processo CMOS e melhorias na eficiência do array. Com a visão de alcançar matrizes monolíticas de 48 Gb e 64 Gb no futuro próximo, a empresa reforça seu compromisso com o progresso tecnológico contínuo.

A tecnologia 1β da Micron, que atingiu a produção em massa antes da concorrência, é destacada como um marco histórico em termos de maturidade de rendimento. A empresa expressa otimismo em relação ao futuro, sugerindo que pacotes dual-die e módulos de fator de forma alto (TFF) usando 1β DRAM poderiam viabilizar módulos de 1 TB em um futuro próximo.

Além do anúncio dos RDIMMs de 128 GB utilizando a tecnologia 1β, a Micron apresentou seu roteiro para os próximos produtos. A expectativa é que HDM e GDDR7 desempenhem um papel dominante em aplicativos que demandam grande largura de banda, enquanto soluções RDIMMs, MCRDIMMs e CXL estão em desenvolvimento para sistemas que necessitam de capacidade massiva.

Prevê-se que soluções como LPDDR5X e LPCAMM2, com capacidade de até 192 GB, estejam disponíveis em sistemas sensíveis à energia já em 2026, ampliando ainda mais o alcance e a aplicabilidade da tecnologia de memória da Micron.

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